1：單臺裝置輸出額定電樞電流:：160A～4000A，額定勵磁電流: 10A~50A。裝置并聯(lián)后輸出額定電樞電流可達8000A以上。
2： 輸入電壓等級: 230~1200V。
3：西門子SIMOlink 高速直接的裝置-裝置通訊， PROFIBUS、CAN-BUS、DeviceNet、USS 協(xié)議等完全兼容。
4：所有工藝板，通訊板及OP1S 操作面板等完全兼容。
5:2000-4000A采用左右出線方式，方便并聯(lián)。

二、直流擴容構(gòu)成部分
控制單元：
     1.采用最小功率的西門子調(diào)速裝置，通過對其內(nèi)部電源、檢測回路、保護回路、觸發(fā)單元、勵磁功率、接線端子等單元改造以及內(nèi)在軟件的刷新，使之能達到與原裝直流調(diào)速器相媲美的高性能。

功率單元：
      2. 功率單元采用優(yōu)質(zhì)可控硅。850A以下直流調(diào)速器采用模塊型可控硅，散熱器采用平板式，本體不帶電。900A以上直流調(diào)速器采用餅型可控硅，散熱器采用型材結(jié)構(gòu)，本體帶電。結(jié)構(gòu)電樞回路為三相橋式電路，單象限工作裝置的功率部分為三相全控橋。四象限工作裝置的功率部分為兩個三相全控橋，兩個三相全控橋采用反并聯(lián)方式。勵磁回路采用單相半控橋回路。
      3.在散熱環(huán)境最惡劣的晶閘管處，安裝了西門子的溫度檢測元件來實現(xiàn)晶閘管過熱的監(jiān)控，當溫度超過時，反饋給裝置，實現(xiàn)自動控制。
     4.脈沖觸發(fā)：

為消除誤觸發(fā)，主回路對脈沖干擾等以及大功率可控硅觸發(fā)安全，在控制單元脈沖輸出到可控硅之間加脈沖放大單元。

     5.冷卻部件:
     冷卻方式由傳統(tǒng)的頂抽風式，改成由渦輪式冷卻風機構(gòu)成的底吹風式結(jié)構(gòu)，大大的增加了晶閘管的散熱效果，提高了晶閘管的工作效率。功率單元部分冷卻為風冷設計，強制風冷。