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可控硅開關由電子元器件構成,只要接入系統(tǒng)帶電后不可避免地要帶來有功損耗，這也是與傳統(tǒng)機械開關相比的一個缺點。因此可控硅開關主電路的設計上除充分考慮可靠性因素，同時也應考慮如何減低損耗，提高運行的經濟性。

（1）可控硅開關的穩(wěn)態(tài)關斷下的損耗:主要是由流過靜態(tài)均壓電阻、動態(tài)均壓電阻的電流帶來的，近似計算公式如下:

其中:V為開關閥的額定電壓，單位為V;

Rd為動態(tài)均壓電阻值，單位為歐;

Rp為靜態(tài)均壓電阻值，單位為歐;

Cd為動態(tài)均壓容值，單位為F;

V為元件額定耐壓值，單位為V;

1000為元件額定耐壓值下的漏電流，單位為A;

n為可控硅串聯(lián)數(shù);

△P1的單位為千瓦。

(2)可控硅開關的穩(wěn)態(tài)導通下的損耗:主要是由可控硅元件導通電阻帶來的，近似計算公式如下:

其中:Von為可控硅導通壓降電壓，單位為V;

n為可控硅串聯(lián)數(shù);

Ⅰn為額定工作電流，單位為A;

△P2的單位為千瓦。

可控硅開關的導通和關斷的動態(tài)損耗主要是由動態(tài)均壓電容的充放電在動態(tài)均壓電阻上形成的功耗，計算比較復雜，通常只有在可控硅開關頻繁動作的情況下予以考慮。